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Microwave RPS
(원격 플라즈마 시스템)

Sub.fab 안전 향상 및 부산물 제거 시스템

    • 높은 수준의 참조자료
    • 전력 범위를 지정 (1~3KW)
    • 높은 사용성 (높은 출력 및 다양한 반응성으로 NF3 및 O2, H2O와 같은 반응이 가능합니다.)

Specification

항목 상세설명 사용자범위
(HOOCK UP)
모델명 TCTMW-R3  
처리 유형 Microwave Plasma  
응용 분야 Etch, Diffusion, CVD Process  
인터페이스 RS485, Signal  
작동 유형 Automatic (PLC base TOUCH screen)  
규격 (W×D×H, mm) 630×1,208×1,517  
중량 (kg) 85kg  
전력 3-Phase, 220 ±10% VAC, 50/60㎐
Main Circuit Breaker /
Max. Power Consumption /		 O
InletPort ISO 160 (Or Option)  
Ar 2 LPM 1/4” VCR Male O
NF3 3 LPM 1/4” VCR Male O
PCW 20~30 LPM (4~5 kg/cm2) 3/8”, Swagelok O
Ar 30~200 LPM (4~5 kg/cm2) 1/4”, Swagelok O

Gas processing process

Sub.fab 안전 향상 및 부산물 제거 시스템

    • WN process : By-Product W or WN
      W or WN + F* → WFx + N2
    • HARP USG process : by-product SiO2
      SiO2 + F* → SiFx + O2
    • ALD CVD Nitride : By-Product Si(NH2)4 or Si3N4
      Si(NH2)4 or Si3N4 + F* → SiF4 (g) + NH4F2 (s)
    • ALD TiCl4 TiN : By-Product TiN
      TiCl4 + NH3 + F*/O*+ NF*→ TiF4(s) + NH4F(g) + TiO2 (s)+ N2 + HCl(g)
    • ALD ZrO2 : CpZr or TEMAZ condensation(Safety issue)
      CpZr[(N(CH3)2)3] + O* → ZrO2 + N2 + H2 + CO2 + H2O
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